| 发明名称 | 驱动非挥发性动态随机存取存储器的装置以及方法 | ||
| 摘要 | 一种包括在非挥发性动态随机存取存储器(NVDRAM)中的单位单元，包括：连接到字线的控制栅极层；用于存储数据的电容器；用于将电容器中的存储数据传输到位线的浮动晶体管，该浮动晶体管的栅极为单层且作为临时的数据存储点；及位于控制栅极层和浮动晶体管的栅极之间的第一绝缘层，其中供应到浮动晶体管的本体的电压是可控制的。 | ||
| 申请公布号 | CN1585033A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410058544.X | 申请日期 | 2004.08.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 安进弘;洪祥熏;朴荣俊;李相敦;金一旭;裵基铉 |
| 分类号 | G11C14/00;G11C11/404 | 主分类号 | G11C14/00 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种包括在非挥发性动态随机存取存储器(NVDRAM)中的单位单元，包括：连接到字线的控制栅极层；用于存储数据的电容器；用于将电容器中的存储数据传输到位线的浮动晶体管，该浮动晶体管的栅极为单层且作为临时的数据存储点；及位于控制栅极层和浮动晶体管的栅极之间的第一绝缘层，其中供应到浮动晶体管的本体的电压是可控制的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||