| 发明名称 | 欧姆接触结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有布置在半导体材料(10)上的金属层(14)的欧姆接触结构，其中，在该半导体材料(10)中形成了一个接触层，该接触层具有一个紧靠金属层(14)的第一子区和一个布置在第一子区之后的第二子区(18)。该接触层是如此掺杂的，使得第一子区(12)中的掺杂浓度(N<SUB>2</SUB>)大于第二子区(18)中掺杂浓度(N<SUB>1</SUB>)。 | ||
| 申请公布号 | CN1586011A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN02822407.8 | 申请日期 | 2002.11.12 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | G·布吕德尔;B·哈恩;V·海勒;H·－J·卢戈尔;U·施特劳斯;A·维马 |
| 分类号 | H01L29/45;H01L21/28;H01L33/00 | 主分类号 | H01L29/45 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1.具有布置在半导体材料(10)上的金属层(14)的欧姆接触结构，其中，在所述的半导体材料(10)中形成了一个紧靠所述金属层(14)的接触层，其特征在于，所述的接触层具有一个紧靠所述金属层(14)的第一子区(12)和从所述金属层(12)出发来看的一个布置在所述第一子区(12)之后的第二子区(18)，其中，所述第一子区(12)中的掺杂浓度(N2)大于所述第二子区(18)中的掺杂浓度(N1)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||