发明名称 落下管式粒状结晶制造装置及粒状结晶制造方法
摘要 一种落下管式粒状结晶制造装置(1),一边利用离心力使无机材料的粒状液滴从旋转坩埚的喷嘴喷出并使其在落下管内自由落下,一边将与落下管内壁面的接触作成凝固激发而使其急速凝固,制作大致球状的结晶体。坩埚(12)配设在落下管(4)的上端部并收容无机材料的融液,可围绕铅垂轴心旋转,在该坩埚(12)的外周部形成有相对于铅垂轴心放射状形成的小径的多个喷嘴(23)。坩埚(12)由旋转驱动装置(13)旋转驱动,坩埚(12)和收容于该坩埚(12)内的无机材料由加热装置(15)加热,通过气流形成装置(5),在落下管(4)的内部形成冷却用气流。
申请公布号 CN1890409A 申请公布日期 2007.01.03
申请号 CN200480035628.X 申请日期 2004.04.21
申请人 京半导体股份有限公司 发明人 中田仗祐
分类号 C30B30/00(2006.01) 主分类号 C30B30/00(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 方晓虹
主权项 1.一种落下管式粒状结晶制造装置,一边使无机材料的粒状液滴在落下管内自由落下,一边使其凝固而制作大致球状的结晶体,其特征在于,所述制造装置包括:配设在落下管上端部、且收容无机材料的融液的可围绕铅垂轴心旋转的坩埚,该坩埚具有在坩埚外周部相对所述铅垂轴心形成放射状的小径的多个喷嘴;用于对所述坩埚进行旋转驱动的旋转驱动装置;对所述坩埚和收容于该坩埚内的无机材料进行加热的加热装置;在所述落下管的内部形成冷却用气体流动的气流形成装置。
地址 日本京都府