一种单晶硅抛光片热处理工艺

摘要

本发明涉及一种对硅片获得洁净区的热处理工艺，其步骤如下：第一步，对硅片进行快速热处理；第二步，氧化退火工艺；第三步，退火工艺：第四步，氧沉淀长大。本发明工艺为快速退火和常规退火相结合获得氧沉淀初始核心的分布：通过快速退火注入空位保证最终获得很高的氧沉淀密度；通过氧化退火注入自间隙硅原子，中和表层空位，抑制表层氧沉淀形成氧沉淀，最终保证表层有洁净区的生成。

主权项

1、一种对硅片获得洁净区的热处理工艺，其步骤如下：第一步，对硅片进行快速热处理，即在任何商用的快速退火炉中，采用氨气作为保护气氛，加热的最高温度为1250～1200℃，硅片在该温度保温时间为5～40秒，降温速率保持在20～100℃/S；第二步，氧化退火工艺，为批处理工艺，退火温度为850～950℃之间，退火气氛为含氧气氛，氧气的比例不低于40％，处理时间为10～60分钟；第三步，退火工艺；第四步，氧沉淀长大。