发明名称 单烷基锡三卤化物和二烷基锡二卤化物的制备方法
摘要 本发明涉及制备式为RSnHal<SUB>3</SUB>的单烷基锡三卤化物的方法,其中R=烷基或环烷基和Hal=Cl、Br或I。所述方法包括在至少一种过渡金属基催化剂存在下使相应的烯烃或环烯烃、卤化亚锡SnHal<SUB>2</SUB>、卤化氢HHal和任选地Sn金属接触;然后从介质中分离单烷基锡三卤化物。本发明还涉及由式为RSnHal<SUB>3</SUB>的单烷基锡三卤化物制备式为R<SUB>2</SUB>SnHal<SUB>2</SUB>的二烷基锡二卤化物的方法,其中R=烷基或环烷基,Hal=Cl、Br或I。所述方法包括使单烷基锡三卤化物RSnHal<SUB>3</SUB>和Sn金属接触,然后任选地从介质中分离二烷基锡二卤化物R<SUB>2</SUB>SnHal<SUB>2</SUB>。
申请公布号 CN101263149A 申请公布日期 2008.09.10
申请号 CN200680033543.7 申请日期 2006.07.11
申请人 阿肯马弗利辛恩公司 发明人 M·博尔;B·-J·迪尔曼;G·范科滕;E·M·瓦格纳
分类号 C07F7/22(2006.01) 主分类号 C07F7/22(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吕彩霞;韦欣华
主权项 1.一种制备式为RSnHal3的单烷基锡三卤化物的方法,其中R=烷基或环烷基和Hal=Cl、Br或I,所述方法包括在至少一种过渡金属基催化剂存在下使相应的烯烃或环烯烃、卤化亚锡SnHal2、卤化氢HHal和任选地Sn金属接触;然后从介质中分离单烷基锡三卤化物。
地址 荷兰弗利辛恩