一种改善晶圆翘曲度的方法

摘要

本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，通过先在晶圆上沉积应力薄膜，然后通过光刻工艺对晶圆进行图形化，用光刻胶将特定区域的应力薄膜保护起来，再对晶圆进行离子注入工艺，使得特定方向上的应力得以释放，从而能够对晶圆特定方向上的翘曲度进行针对性调整，将晶圆的整体翘曲度控制在合理的范围内。

主权项

一种改善晶圆翘曲度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一晶圆，确定以所述晶圆的最大翘曲度所在方向为X坐标方向；步骤二：在所述晶圆表面沉积应力薄膜；步骤三：在所述应力薄膜上覆盖光刻胶，并进行图形化，形成沿X坐标方向的光刻胶条纹，并暴露出光刻胶条纹之间的所述应力薄膜；步骤四：进行离子注入，以减小沿X坐标方向暴露出的所述应力薄膜的应力，使沿Y坐标方向上的应力得以被释放；然后，去除光刻胶。