| 发明名称 | 制备半导体失效分析样品的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种制备半导体失效分析样品的方法，首先对所述测试芯片进行切割形成初始样品并在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的切割面，其次再对所述初始样品暴露出所述测试区切割面的一角进行切割，使切割面与所述测试区的排列方向垂直，从而可以准确的测量出所述测试区的特征尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN103871917B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201210526393.0 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘文晓;戴海波;李日鑫;李娟 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种制备半导体失效分析样品的方法，包括：提供测试芯片，所述测试芯片设有测试区；对所述测试芯片进行切割形成初始样品，在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的两个相垂直的切割面，且所述两个相垂直的切割面与所述测试区的排列方向的夹角均为45度；对所述初始样品的一角进行切割，形成另一切割面，所述另一切割面与所述测试区的排列方向垂直，形成半导体失效分析样品。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||