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Ein Verfahren, ein System und ein Apparat zum Treiben eines Silizium Karbid (SiC) Sperrschicht Feldeffekt Transistors (JFET) werden bereitgestellt. Eine boostende Kapazität wird in Kombination mit zwei Treibern verwendet, um einen boostenden Strom an den SiC JFET und dann einen haltenden Strom an dem SiC JFET effizient bereitzustellen. Die boostende Kapazität erzeugt, auf ein Entladen hin, den boostenden Strom und sobald sie entladen ist, wird der haltende Strom mittels einem von dem ersten und dem zweiten Treiber bereitgestellt. |
