| 发明名称 | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜，所述AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜依次生长在Si衬底上，其中，x为0‑1。本发明还公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜的制备方法和应用。本发明利用AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层的底层作用，解决了在上生长GaN薄膜过程中产生大量穿透位错的问题，使得生长在Si衬底上的GaN薄膜结构更加稳定，同时，克服了热应力失配给GaN薄膜造成裂纹的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104037284B | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201410256443.7 | 申请日期 | 2014.06.10 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;C30B25/22(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜，所述AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN插入层、GaN成核层和GaN薄膜依次生长在Si衬底上，其中，x为0‑1；所述Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层包括Al<sub>0.75</sub>Ga<sub>0.25</sub>N缓冲层、Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N缓冲层和Al<sub>0.25</sub>Ga<sub>0.75</sub>N缓冲层，所述Al<sub>0.75</sub>Ga<sub>0.25</sub>N缓冲层、Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N缓冲层和Al<sub>0.25</sub>Ga<sub>0.75</sub>N缓冲层从下到上依次生长在AlN成核层与AlN插入层之间；所述AlN成核层厚度为20～30nm，所述Al<sub>0.75</sub>Ga<sub>0.25</sub>N缓冲层的厚度为90～120nm，所述Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N缓冲层的厚度为120～150nm，所述Al<sub>0.25</sub>Ga<sub>0.75</sub>N缓冲层的厚度为200～300nm，所述的AlN插入层厚度为20～30nm，所述的GaN成核层厚度为200nm，所述的GaN薄膜厚度为1～1.5μm。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||