ESTRUCTURAS DE LASERS DE SEMICONDUCTOR.

摘要

SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA LASER CON MATERIAL ACTIVO ALTAMENTE IMPURIFICADO QUE TIENE UN FACTOR (ALFA) DE AUMENTO DEL ANCHO DE LINEA PARTICULARMENTE BAJO. POR LO TANTO, EL ANCHO DE LA EMISION DE LA ESTRUCTURA LASER (1) ES RELATIVAMENTE PEQUEÑO. LA ESTRUCTURA (1) MUESTRA UNA ESPECIAL RELACION ENTRE LA ENERGIA FOTONICA (E), LA ENERGIA DE INTERVALO DE BANDA (EG) Y EL NIVEL QUASI FERMI DE LA BANDA DE CONDUCCION (EFC) DEL MATERIAL ACTIVO QUE MINIMIZA (ALFA), SIENDO LA BANDA DE VALENCIA DEGENERADA. ESTAS CONDICIONES PUEDEN SER UTILIZADAS PARA DISEÑAR ESTRUCTURAS LASER DE (ALFA) BAJO. LAS ESTRUCTURAS ACORDES CON LOS DIVERSOS DISEÑOS DEL INVENTO SON PARTICULARMENTE APROPIADAS PARA SU APLICACION DIRECTA A LASERES MODULADOS O A MODULADORES DE ABSORCION, Y TAMBIEN A LA DETECCION OPTICA COHERENTE.