半导体压力传感器及其制造方法

摘要

以SiO₂层(2)为刻蚀阻挡层,一直到SiO₂层(2)为止,刻蚀对应于n型单晶Si层(1)的压力敏感区域的部分。用刻蚀法除去已露了出来的SiO₂层(2)。刻蚀规定的量的n型单晶Si层(3)压力敏感区域,以形成膜片(4)。借助于此,从膜片(4)和膜片边缘部分(6)上除去SiO₂层(2)。

主权项

1．一种半导体压力传感器，其特征是具备：构成基座的第1半导体层；在上述第1半导体层上边形成的绝缘层；在上述绝缘层上边形成、具有构成压力敏感区域的膜片部分的第2半导体层；在上述压力敏感区域上贯通上述第1半导体层和绝缘层形成、具有达到上述第2半导体层的规定深度的凹部。