具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法

摘要

具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。

主权项

1．一种半导体存储器件，包括：电容器，具有下电极、上电极以及位于下和上电极之间的电容器介质层；密封层，具有多层结构，密封层覆盖电容器的整个表面并包括至少由不同绝缘材料形成的两个材料层；介质层，形成在密封层上；和金属接触，经密封层和介质层形成，与上电极接触。