光刻装置和曝光方法

摘要

保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

主权项

1、光刻装置，包括：平行于X方向且平行于Y方向伸展的基面；第1和第2物体支架，二者都可以在所述基面上方移动，并且可以平行于X方向且平行于Y方向从第1位置移动到第3位置，所述第1位置包括在曝光区中；以及移位系统，用于使第1物体支架和第2物体支架在基面上方移动，其中，移位系统包括能够与第1物体支架和第2物体支架交替耦合的第1移位单元和第2移位单元，第1移位单元适用于在第3位置和第1位置与第3位置间的第2位置之间移动物体支架，且适用于将物体支架从第2位置移动到第3位置，第2移位单元适用于在第2位置和第1位置之间移动物体支架，且适用于将物体支架从第1位置移动到第2位置。