| 发明名称 | 用于提高自旋阀传感器的磁致电阻的氧化镍钉扎层所用的籽晶层 | ||
| 摘要 | 底部自旋阀传感器使用用于氧化镍(NiO)反铁磁钉扎层(212)的籽晶层(201),目的是提高传感器的磁致电阻(dR/R)。自旋阀传感器可以是简单自旋阀或反平行(AP)自旋阀传感器。籽晶层是钽氧化物(TayOx)或铜(Cu)。 | ||
| 申请公布号 | CN1329742A | 申请公布日期 | 2002.01.02 |
| 申请号 | CN99814103.8 | 申请日期 | 1999.11.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·皮纳巴斯 |
| 分类号 | G11B5/39;H01F10/32;G01R33/09;H01L43/08 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有空气支承表面(ABS)的自旋阀传感器，包括：氧化镍(NiO)的反铁磁钉扎层；非磁性导电间隔层；铁磁自由层；间隔层夹在界面连接的钉扎层与自由层之间；钽氧化物或铜的籽晶层；钉扎层夹在籽晶层与带有界面连接钉扎层的籽晶层的被钉扎层之间。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||