| 摘要 |
<p>Um bei Halbleiterspeichereinrichtung bei hohen Integrationsdichten einen Oxidationsschutz vorgesehener Plugbereiche (22) zu realisieren, wird vorgeschlagen, bei einem Herstellungsverfahren von Speicherkondensatoren (10) eine Unterschicht (14) einer Abgolfe von Schichten (12, 14, 16, 18) durch einen zwischengeschalteten Ätzprozess im Bereich der Plugbereiche (22) in ihrer Schichtdicke zu reduzieren, um so bei konformer 2D-Abscheidung der nachfolgenden Schichten (16, 18) eine 3D-Struktur zu erhalten. (Fig. 4)</p> |
