| 发明名称 | 一种MgB<SUB>2</SUB>超导体的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种MgB<SUB>2</SUB>超导体的制备方法，涉及一种分步反应制备MgB<SUB>2</SUB>超导体的方法。其特征在于首先将原子配比为1∶4的镁和硼的混合粉末进行烧结，然后在烧结产物中添加适量金属镁粉，进行第二次烧结获得MgB<SUB>2</SUB>超导体。采用该方法制备的MgB<SUB>2</SUB>超导体表现出高致密度的特点，同时仍然保持高临界温度特征。 | ||
| 申请公布号 | CN100354985C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200510132721.9 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 西北有色金属研究院 | 发明人 | 闫果;闫世成;王庆阳;冯勇;卢亚锋;李成山;纪平;吴怡芳;张平祥 |
| 分类号 | H01B12/00(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L39/24(2006.01) | 主分类号 | H01B12/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人 | 李迎春;王连发 |
| 主权项 | 1.一种MgB2超导体的制备方法，其特征在于制备过程为：(1)将干燥的镁、硼粉末按照原子比Mg∶B＝1∶4的比例充分混合1-2小时，混合后的粉末压制成片或块；(2)将压制的片或块置于真空退火炉中，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率加热，在650℃-1000℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将其冷却至室温；(3)将烧结得到的片或块进行破碎，然后向其中添加金属镁粉到镁和硼的原子配比为1∶2，再将混合后的粉末用压制成片或块；(4)将压制的片或块置于真空退火炉中，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率加热，在650℃-1000℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将其冷却至室温，制成MgB2超导体。 | ||
| 地址 | 710016陕西省西安市北关方新村西安市51号箱 | ||