| 摘要 |
Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type DRAM (DM) comportant au moins un point-mémoire (CEL) incluant un transistor (TR) possédant une première électrode (E1), une deuxième électrode (E2) et une électrode de commande (EC), et un condensateur (CDS) couplé à ladite première électrode, et au moins une première ligne électriquement conductrice (BLT, BLC) couplée à la deuxième électrode et au moins une deuxième ligne électriquement conductrice (WL) couplée à l'électrode de commande, lesdites lignes électriquement conductrices (BLT, BLC, WL) étant disposées entre le transistor (TR) et le condensateur (CDS).
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