| 摘要 |
본 발명은 자기조립물질을 이용한 그라핀 나노구조체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판상에 그라핀 박막 또는 그라핀 옥사이드 박막을 형성한 후, 자기조립물의 자기조립 나노구조를 마스크로 이용하여 상기 그라핀 박막 또는 그라핀 옥사이드 박막을 식각하여 그라핀 나노구조체를 제조하는 것을 특징으로 하는, 자기조립물질을 이용한 리소그라피에 의한 그라핀 나노구조체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 그라핀 구조의 나노미터 수준 조절을 통해 밴드갭(Band Gap)의 열림 정도를 조절할 수 있고, 이는 그라핀의 전기적 성질은 자유롭게 조절할 수 있게 하며, 이를 통해 탄소 소재의 디바이스 제조에 있어 효율적인 방법을 제시할 수 있다. 또한, 본 발명에서 제시하는 방법은 병렬적 제조가 가능한 방법으로, 블록공중합체 등을 포함하는 자기 조립 물질을 이용하기 때문에 대량 생산이 용이한 효과가 있다. |
