一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法

摘要

本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。

主权项

一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC；所述SiC材料清洗包括如下清洗步骤：(1)采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°，时间5分；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；或(2)采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°，时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水＝1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵＝1:20，常温，时间30秒；异丙醇超声5分；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；所述掩膜层包括氧化硅或氮化硅；沉积掩膜层包括离子体增强化学气相沉积方法PECVD或等离子体化学气相淀积ICPCVD；所述光刻包括涂胶、前烘、曝光、后烘、显影和坚膜工艺步骤；所述干法刻蚀掩膜层包括反应离子刻蚀掩膜层或感应耦合等离子体刻蚀掩膜层；所述湿法腐蚀光滑掩膜层包括采用BOE清腐蚀液对干法刻蚀形成的掩膜层进行腐蚀，以使掩膜层光滑；所述去胶包括丙酮浸泡、去胶剂去除、氧等离子体去胶和曝光后显影液去胶；所述干法刻蚀SiC材料包括反应离子刻蚀SiC材料或感应耦合等离子体刻蚀SiC材料。