| 摘要 |
단일 반도체 기판 상에 반도체 장치를 생성하기 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 실리콘 재료 부분과 게르마늄 재료 부분을 포함하는 단일 반도체 기판이 생성된다. 실리콘 재료 부분 상에 제1 금속으로부터 제1 세트의 소스/드레인 컨택이 형성된다. 제1 세트의 소스/드레인 컨택이 제1 온도에서 실리콘 재료 부분과 어닐링된다. 반도체 기판을 제1 온도로 가열한 후 게르마늄 재료 부분 상에 제2 금속으로부터 제2 세트의 소스/드레인 컨택이 형성되고, 제2 세트의 소스/드레인 컨택은 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 게르마늄 재료 부분과 어닐링된다. |
