| 发明名称 | 晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多项目晶圆(MPW)制造的光刻掩模与其制造方法和其应用所述掩模的晶圆制造方法，所述掩模包含一遮光层和至少一个可透光区域，所述掩模用以选择MPW光罩上项目的图案曝光到晶圆表面光阻层。所述多项目晶圆制造的光刻制程方法主要是利用配置一可以选择MPW光罩曝光成像区域的掩模于一MPW光罩与一光刻光源或所述MPW光罩与晶圆之间的光线行进路线上，用以避免一些在所述MPW光罩上不希望制造的图案在晶圆上被制造出来，因而降低晶圆和光刻制程的浪费。 | ||
| 申请公布号 | CN101038435A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200610057084.8 | 申请日期 | 2006.03.17 |
| 申请人 | 蔡士成 | 发明人 | 蔡士成;林荣彬 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种晶圆光刻掩模，搭配一光罩设于一光刻光源与一晶圆间的光线行进路线上，其包含：一遮光层，和至少一个可透光区域；其中所述可透光区域的位置和形状可让所述光罩上的图案转移到一晶圆表面的光阻层。 | ||
| 地址 | 中国台湾彰化县二水乡 | ||