处理多晶硅还原尾气的方法

摘要

本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法，该方法包括：(1)将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理；(2)采用膜分离器对经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体；(3)将氢气供给至还原炉与三氯氢硅进行还原反应；(4)将混合气体进行第二冷凝处理，得到氯硅烷冷凝液和不凝气；(5)将不凝气进行吸附处理，得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂，并将氢气的一部分供给至还原炉；(6)采用步骤(5)中氢气的另一部分对吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及(7)将混合物与四氯化硅进行氢化反应。该方法可以显著降低能耗和设备投资成本。

主权项

一种处理多晶硅还原尾气的方法，所述多晶硅还原尾气含有二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气，其特征在于，所述方法包括：(1)将所述多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理，以便得到经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气；(2)采用膜分离器对所述经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体，其中，所述膜分离器具有有机渗透膜，所述氢气选择性透过所述有机渗透膜；(3)将步骤(2)得到的所述氢气供给至还原炉中与三氯氢硅进行还原反应，以便得到单质硅；(4)将步骤(2)中的所述混合气体进行第二冷凝处理，以便得到氯硅烷冷凝液和不凝气；(5)将所述不凝气进行吸附处理，以便得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂，并将所述氢气的一部分供给至所述还原炉；(6)采用步骤(5)中所述氢气的另一部分对所述吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，以便得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物；(7)将所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应，以便得到三氯氢硅，其中，在将所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应之前，预先对所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物进行第二压缩处理，所述膜分离器的进气侧压力大于所述膜分离器的出气侧压力，并且所述膜分离器的出气侧压力为0.1～0.2MPa，所述第一冷凝处理是在温度为30～50摄氏度和压力为0.5～0.6MPa的条件下进行的，所述第二冷凝处理包括一级冷凝处理和二级冷凝处理，其中，所述一级冷凝处理是在温度为‑30～‑10摄氏度和压力为0.5～0.6MPa的条件下进行的，所述二级冷凝器处理是在温度为‑40～‑30摄氏度和压力为1.0～1.2MPa的条件下进行的，所述第二压缩处理是在1.9～3.0MPa的压力下进行的。