发明名称 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体发光装置,其具有:支持体、设置在支持体的表面且具有含银金属的金属部件、载置在支持体上的发光元件、使金属部件与发光元件导通的导电性细丝、设置在支持体上且反射来自发光元件的光的光反射树脂、及将金属部件的表面的至少一部分覆盖的绝缘部件。绝缘部件被设置为与发光元件的侧面相接。由此,可抑制来自发光元件的光从支持体泄漏,可得到光取出效率高的发光装置。
申请公布号 CN103199178B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310061757.7 申请日期 2010.01.29
申请人 日亚化学工业株式会社 发明人 伊延元孝;山田元量;镰田和宏
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 周欣;陈建全
主权项 一种发光装置,其包括:支持体、设置在所述支持体的表面的金属部件、载置在所述支持体上、且通过导电性的小片接合部件而结合的发光元件或保护元件、使所述金属部件与所述发光元件或保护元件导通的导电性细丝、设置在所述支持体上且反射来自所述发光元件的光的光反射树脂、覆盖所述金属部件的表面的至少一部分的绝缘部件、和填充在被所述光反射树脂围住的区域内且覆盖所述发光元件的密封部件;其中,所述绝缘部件被设置为与所述发光元件的侧面相接,进而,所述绝缘部件与所述密封部件由不同的物质形成,所述金属部件形成于被所述光反射树脂包围的内侧的整面。
地址 日本德岛县