晶片保护装置

摘要

一种晶片保护装置，用于当一晶片的一第一表面以蚀刻液进行蚀刻时，保护该晶片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所蚀刻，该晶片保护装置包括：一本体，用以包覆该晶片的特定区域，且阻绝该特定区域与该蚀刻液的接触，而在该本体与该特定区域之间产生一隔离空间；以及一压力调节组件，设置于该本体，且与该隔离空间相通连，用以调节该隔离空间的压力，其中该压力调节组件包括：一导管，连通于该蚀刻液，当该隔离空间的压力高于一特定范围时，该隔离空间的气体经由该导管排入该蚀刻液中，而当该隔离空间的压力低于一特定范围时，该导管吸入该蚀刻液，藉此，以调节该隔离空间内的压力。

主权项

1.一种晶片保护装置，用于当一晶片的一第一表面以蚀刻液进行蚀刻时，保护该晶片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所蚀刻，该晶片保护装置包括：一本体，用以包覆该晶片的特定区域，且阻绝该特定区域与该蚀刻液的接触，而在该本体与该特定区域之间产生一隔离空间；以及一压力调节组件，设置于该本体，且与该隔离空间相通连，用以调节该隔离空间的压力，其中该压力调节组件包括：一导管，连通于该蚀刻液，当该隔离空间的压力高于一特定范围时，该隔离空间的气体经由该导管排入该蚀刻液中，而当该隔离空间的压力低于一特定范围时，该导管吸入该蚀刻液，藉此，以调节该隔离空间内的压力。