发明名称 |
一种ZnO:Zn薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种ZnO:Zn薄膜的制备方法,将ZnO粉末装在氧化铝或石英舟内,置于管式炉中煅烧,管式炉内填充N<SUB>2</SUB>和H<SUB>2</SUB>混合的弱还原性气体,管内的温度调节在700~800℃之间。在管式炉的排气端保温区边缘,放置一装置,此装置能够夹持基片,而且此装置可以流通气体或水等而获得合适的温度。当炉内的ZnO蒸发后沉积在夹具上的较冷的基片上,关闭管式炉,冷却后即可以获得在紫外线照射下发射明亮绿色光的ZnO:Zn薄膜。本发明提供了一种制备发射绿色光的ZnO:Zn薄膜的简单制备工艺,获得的薄膜与衬底的结合非常牢固。 |
申请公布号 |
CN1888128A |
申请公布日期 |
2007.01.03 |
申请号 |
CN200610088981.5 |
申请日期 |
2006.07.28 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
张俊英;丛亮;史强;王天民 |
分类号 |
C23C14/22(2006.01);C23C14/26(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/22(2006.01) |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 |
代理人 |
关玲;成金玉 |
主权项 |
1、一种ZnO:Zn薄膜的制备方法,其特征在于:将ZnO粉末装在氧化铝或石英舟内,置于管式炉中煅烧,管式炉内填充N2和H2混合的还原性气体,管内的温度调节在700~800℃之间;在管式炉的排气端保温区边缘,放置能够夹持基片的装置,当炉内的ZnO蒸发后沉积在夹具上的较冷的基片上,关闭管式炉,冷却后即可以获得在紫外线照射下发射明亮绿色光的ZnO:Zn薄膜。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路37号 |