摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufdampfen dünner Schichten im Vakuum aus einem Verdampfer (13) auf ein Substrat oder Werkstück und einen Draht (12) zu dessen Ausführung, wobei eine Verdampfereinrichtung (16) mittels einer Zuführeinrichtung (11) zumindest ein Draht (12) zugeführt wird, der Draht in die Verdampfereinrichtung vorgeschoben wird und der Draht in der Verdampfereinrichtung geschmolzen und verdampft wird, wobei ein Draht (12) mit einem als Polygon ausgebildeten Querschnittsprofil verwendet wird, welcher im Vergleich zu einem Draht mit einem Kreisquerschnittsprofil eine im Verhältnis zur Querschnittsfläche relativ große Mantelfläche (20) aufweist, sodass eine dem Schmelzpunkt eines Drahtwerkstoffes zumindest angenäherte Temperatur vor Eintritt des Drahtes (12) in eine in der Verdampfereinrichtung gebildete Schmelze im Draht erreicht wird.
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