| 摘要 |
본 발명은 고속 성막과 무노듈(nodule-less)을 실현할 수 있는 스퍼터링용 타겟 또는 이온 도금용 타블렛, 그것을 얻는데 최적인 산화물 소결물체와 그것의 제조 방법, 그것을 이용해 얻어지고 청색광의 흡수가 적은 낮은 저항의 투명 도전막에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 인듐과 갈륨을 산화물로서 함유하고 있고, 빅스바이트형 구조의 InO상이 주요 결정상을 형성하며, β-GaO형 구조의 GaInO상, 또는 GaInO상과 (Ga, In)O상이 평균 입경 5 ㎛ 이하의 결정립으로 InO상에 미세하게 분산되어 있고, 갈륨의 함량이 Ga/(In+Ga)의 원자수비로 10 원자% 이상 내지 35 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 산화물 소결물체를 제공한다. |
