| 摘要 |
본 발명은 애노드(2) 위로 유기발광 층(3)을 침착시키는 단계; 및 상기 유기발광 층(3) 위로 캐쏘드(4)를 침착시키는 단계를 포함하며, 이때 상기 캐쏘드(4)가 전자 주입 물질을 포함하는 제 1 층(4a)을 침착시키는 단계; 상기 제 1 층(4a) 위로, 3.5 eV 초과의 일함수를 갖는 금속성 물질을 포함하는 제 2 층(4b)을 침착시키는 단계; 및 상기 제 2 층(4b) 위로, 3.5 eV 초과의 일함수를 갖는 금속성 물질을 포함하는 제 3 층(4c)을 침착시키는 단계에 의해 형성된 삼중층 구조를 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법에 관한 것이다. |
