发明名称 TECHNIQUES FOR ACCESSING A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY
摘要 DRAM(dynamic random access memory) 어레이를 액세스하기 위한 예들이 개시된다. 일부 예들에서, DRAM 뱅크의 서브-어레이들은 동일한 컬럼 어드레스 스트로브에 응답하여 다수의 페이지들을 오픈할 수 있을 것이다. 다른 예들에서, DRAM 뱅크의 서브-어레이들은 IO(input/output) 비트들이 IO 배선을 통해 직렬 방식으로 라우트될 수 있도록 구성될 수 있다. 이러한 다른 예들에 대해서, IO 배선은 DRAM 뱅크를 포함하는 DRAM 다이를 통과할 수 있고/있거나, DRAM 다이의 외부의 메모리 채널 또는 버스에 연결될 수 있다. 다른 예들이 설명되고 청구된다.
申请公布号 KR20160072200(A) 申请公布日期 2016.06.22
申请号 KR20167012870 申请日期 2014.11.06
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 SCHAEFER ANDRE;YEH JEN CHIEH;LUO PEI WEN
分类号 G11C11/4063;G11C7/10;G11C8/10;G11C8/12;G11C11/4076;G11C11/408;G11C11/4096;G11C11/4097 主分类号 G11C11/4063
代理机构 代理人
主权项
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