发明名称 CVD方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法
摘要 本发明公开了一种CVD方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法,1)将CVD方法生长有石墨烯的生长衬底的其中任一侧与基底粘合在一起;2)将步骤1)处理后的生长衬底的另一侧涂布保护胶溶液后烘烤;3)将步骤2)处理后的生长衬底置于刻蚀液中进行刻蚀,去除夹在两侧石墨烯层内的生长衬底,使原来分别位于生长衬底两侧的石墨烯层自动紧密贴合形成双层石墨烯薄膜,取出;4)用水清洗步骤3)中形成的双层石墨烯薄膜、之后进行烘烤,再去除表面保护胶,再用水清洗、烘干,即可。
申请公布号 CN105752965A 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201610053358.X 申请日期 2016.01.26
申请人 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 发明人 秦喜超;谭化兵;王炜
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 许向彤;陈英俊
主权项 一种CVD方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法,其特征在于:包括如下步骤:1)将CVD方法生长有石墨烯的生长衬底的其中任一侧与基底粘合在一起;2)将步骤1)处理后的生长衬底的另一侧涂布保护胶溶液后烘烤固化;3)将步骤2)处理后的生长衬底置于刻蚀液中进行刻蚀,去除夹在两侧石墨烯层内的生长衬底,原来分别位于生长衬底两侧的石墨烯层自动紧密贴合后形成双层以上的石墨烯薄膜,取出;4)用水清洗步骤3)中形成的多层石墨烯薄膜、之后进行烘烤,再去除表面保护胶,再用水清洗、烘干,即可。
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