发明名称 |
显示装置 |
摘要 |
提供一种显示质量优良的显示装置。该显示装置包括第一衬底上的晶体管、与晶体管接触的无机绝缘膜以及与无机绝缘膜接触的有机绝缘膜。该晶体管包括第一衬底上的栅电极、与栅电极重叠的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜的一个表面接触的栅极绝缘膜以及与氧化物半导体膜接触的一对电极。无机绝缘膜与氧化物半导体膜的另一个表面接触。有机绝缘膜隔着无机绝缘膜与氧化物半导体膜重叠并被分离。另外,有机绝缘膜的厚度优选大于或等于500nm且小于或等于10μm。 |
申请公布号 |
CN105659370A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201480058364.3 |
申请日期 |
2014.10.09 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
久保田大介 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
叶晓勇;姜甜 |
主权项 |
一种显示装置,包括:第一衬底上的晶体管;所述晶体管上的无机绝缘膜;位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的有机绝缘膜;以及位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的像素电极,该像素电极与所述晶体管电连接,其中,所述晶体管包括:所述第一衬底上的栅电极;所述栅电极上的氧化物半导体膜;以及所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜,所述氧化物半导体膜的顶面与所述无机绝缘膜接触,所述有机绝缘膜隔着所述无机绝缘膜与所述氧化物半导体膜重叠,并且,所述栅电极的端部位于所述有机绝缘膜的端部的外侧。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |