| 摘要 |
Сцинтилляционный детектор, содержащий сцинтиллятор, в котором расположены спектросмещающие волокна и фотоприемник, отличающийся тем, что фотоприемник изготовлен на nGaAs подложке, к обратной стороне которой сформирован омический контакт, а на рабочей стороне подложки последовательно сформированы эпитаксиальный слой i-GaAs с остаточной концентрацией носителей заряда порядка 10см, эпитаксиальный слой p-GaAs, базы толщиной 400-500 нм с концентрацией носителей 5·10сми эпитаксиальный слой nAlGaAs широкозонного окна эмиттера с изменяющейся мольной долей алюминия х в пределах от 0,8 до 1, толщиной 100-120 нм с концентрацией носителей заряда 10см, к которому сформирован омический контакт. |
