用于防止存储器件的氧化物损害和残留物污染的方法

摘要

本发明涉及一种形成集成电路的方法。在一些实施例中，通过下列步骤来执行该方法：在衬底上方图案化第一掩蔽层，以在存储器单元区域处具有多个第一开口，并且在边界区域处具有多个第二开口。在多个第一开口内形成多个第一介电体，并且在多个第二开口内形成多个第二介电体。在第一掩蔽层以及多个第一介电体和多个第二介电体上方形成第二掩蔽层。去除位于存储器单元区域处的第一和第二掩蔽层，并且形成第一导电层，以填充多个第一介电体之间的凹槽。平坦化工艺降低了第一导电层的高度，并且去除了边界区域上方的第一导电层。本发明涉及用于防止存储器件的氧化物损害和残留物污染的方法。

主权项

一种形成集成电路(IC)的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方图案化第一掩蔽层，所述第一掩蔽层包括位于存储器单元区域处的多个第一开口和位于边界区域处的多个第二开口；在所述多个第一开口内形成多个第一介电体，并且在所述多个第二开口内形成多个第二介电体，其中，所述多个第一介电体和所述多个第二介电体延伸至所述半导体衬底内；在所述第一掩蔽层以及所述多个第一介电体和所述多个第二介电体上方形成第二掩蔽层；去除位于所述存储器单元区域处的所述第一掩蔽层和所述第二掩蔽层；形成第一导电层，所述第一导电层具有所述存储器单元区域处的第一部分和位于所述存储器单元区域外部的第二部分，所述第一部分填充所述多个第一介电体之间的凹槽，并且所述第二部分在所述第二掩蔽层上方延伸；以及实施平坦化，以降低所述第一部分的高度并且去除所述第一导电层的所述第二部分。