成长式奈米鳍状电晶体

主权项

一种形成电晶体之方法，其至少包含：形成一电晶体主体，包含：在一结晶基材上形成一非晶半导体材料之鳍状物，该鳍状物在至少一方向上的剖面厚度系小于一最小特征尺寸；以及执行一固相磊晶(solid phase epitaxy,SPE)制程，以使用该结晶基材做为该结晶成长的晶种来结晶化该非晶半导体材料，该电晶体主体系形成在该结晶化半导体柱内一第一源极/汲极区和一第二源极/汲极区之间；在该半导体柱周围形成一环绕闸极绝缘层；以及在该半导体柱周围形成一环绕闸极并藉由该环绕闸极绝缘层与该半导体柱隔离。