纳米线的制造方法和电子装置

摘要

在这种方法中，刻蚀半导体衬底以提供纳米线，所述衬底包括具有共同界面的第一材料的第一层和第二材料的第二层，其中第一和第二材料不同。它们的掺杂类型不同。备选地，材料的主要构成可以不同，例如SiGe或SiC与Si，或者InP与InAs。在所得纳米线中，界面是非常地明显。因此在第一和第二电极之间具有纳米线的电子装置具有很好的电致发光和光电特性。

主权项

1.一种制造纳米线的方法，包括以下步骤：-在半导体衬底的表面提供构图的刻蚀掩模，以及-沿基本上垂直于该半导体衬底表面的方向刻蚀该半导体衬底以形成纳米线，其特征在于：-该半导体衬底包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，这些层相互邻接；以及-刻蚀穿过第一层和第二层以用于形成纳米线，使得该纳米线包括第一材料的第一区和第二材料的第二区。