制造存储栅像素设计的方法

摘要

一种制造具有快门栅结构的像素单元的方法。在光电二极管与第一电荷存储区之间以及第一存储区与浮动扩散区之间分别构建第一和第二电荷势垒。形成全局快门栅以控制电荷势垒，并通过有效地降低第一电荷势垒来将电荷从光电二极管转移到第一电荷存储区。转移晶体管执行操作以通过降低第二电荷势垒来将电荷从第一存储区转移到浮动扩散区。

主权项

1.一种形成图像传感器像素结构的方法，所述方法包括：在第二传导性类型的衬底中形成第一传导性类型的第一和第二掺杂区，所述第一和第二掺杂区对应于电荷存储区；在所述衬底中形成第三和第四掺杂区，以使所述第一掺杂区位于所述第三掺杂区下方以形成光传感器，并且所述第四掺杂区至少部分地位于所述第一和第二掺杂区之间以在所述第一和第二掺杂区之间形成电荷势垒；在所述第二和所述第四区的至少一部分上方形成栅结构，以使所述栅结构操作性地降低所述电荷势垒并将电荷从所述第一掺杂区选通到所述第二掺杂区。