| 发明名称 | 通过容性耦合的高电平位移 | ||
| 摘要 | 一种电路结构，包括参考一个接地电压(接地1)的输入电路(10)和参考另一个接地电压(接地2)并且通过电容(C1或者C2)容性耦合到所述输入电路的输出电路(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN101040189A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200580035443.3 | 申请日期 | 2005.10.19 |
| 申请人 | 国际整流器公司 | 发明人 | E·阿卜杜林 |
| 分类号 | G01R19/00(2006.01);H03K5/22(2006.01);H03K5/153(2006.01);H03K17/16(2006.01);H03L5/00(2006.01) | 主分类号 | G01R19/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 1.一种电路结构，包括：参考第一接地的输入电路；参考第二接地的输出电路；以及至少一个电容，所述电容包括电连接到所述输入电路的输入板和电连接到所述输出电路的输出板。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||