Transistor mit einem verformten Kanalgebiet, das eine leistungssteigernde Materialzusammensetzung aufweist

摘要

Durch Herstellen einer Halbleiterlegierung in einem siliziumbasierten aktiven Halbleitergebiet vor der Gatestrukturierung können die Materialeigenschaften der Halbleiterlegierung selbst zusätzlich zu deren verformungsinduzierenden Wirkung ausgenutzt werden. Folglich kann das Bauteilverhalten moderner Feldeffekttransistoren noch weiter verbessert werden im Vergleich zu konventionellen Lösungen, in denen verformte Halbleiterlegierungen in den Drain- und Sourcegebieten verwendet werden.