| 发明名称 |
半导体装置之制法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI350572 |
申请公布日期 |
2011.10.11 |
| 申请号 |
TW096140924 |
申请日期 |
2007.10.31 |
| 申请人 |
聯測科技股份有限公司 新竹市科學工業園區力行三路2號 |
发明人 |
蔡宪聪 台北市信义区松高路90号13楼 |
| 分类号 |
H01L21/56;H01L21/60;H01L21/50 |
主分类号 |
H01L21/56 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制法，系包括：提供基板与晶片，该基板具有第一表面，该第一表面具有复数电性连接垫且覆盖有一绝缘层，该绝缘层形成有开口以露出该电性连接垫，且该晶片具有主动面与非主动面，该主动面设有复数凸块；于该基板第一表面上形成填充材；以及压合该晶片与基板，以覆晶方式电性连接该凸块与该电性连接垫，并使该填充材分布于该晶片与基板之间而形成填充层，以制得半导体装置。 |
| 地址 |
新竹市科学工业园区力行三路2号 |
