| 发明名称 | 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5－氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu<SUP>2+</SUP>存在下。 | ||
| 申请公布号 | CN101085901A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710106575.1 | 申请日期 | 2003.12.02 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 刘俊;彼得·弗热施卡;大卫·伯恩哈德;麦肯齐·金;迈克尔·达西罗;卡尔·博格斯 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01);C09G1/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨青;樊卫民 |
| 主权项 | 1.化学机械抛光组合物，其在还包括基于组合物的总重量浓度从0.3wt％到1wt％的CuSO4·5H2O的组合物中测量的Cu的静态蚀刻速率范围从200/min到550/min。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||