| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。 | ||
| 申请公布号 | CN101378083A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810213079.0 | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 有吉恵子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在半导体区中分开地布置的源极/漏极区；布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜；布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极；布置在浮栅电极上的包含La、Al和Si的电极间绝缘薄膜；以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||