| 摘要 |
炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は、炭化珪素単結晶基板を準備する工程（Ｓ１０１）と、該炭化珪素単結晶基板を成膜装置のチャンバ内に配置し、該チャンバ内を減圧する工程（Ｓ１０２）と、該チャンバ内の温度を第１の温度まで昇温する工程（Ｓ１０３）と、水素ガスを該チャンバ内に導入して、該チャンバ内の圧力を調整する工程（Ｓ１０４）と、炭化水素ガスを該チャンバ内に導入する工程（Ｓ１０５）と、調整された該チャンバ内の該圧力および該水素ガスの流量を維持し、かつ該炭化水素ガスを導入した状態で、該チャンバ内の該温度を第２の温度まで昇温して、該第２の温度で所定の時間保持する基板改質工程（Ｓ１０６）と、該第２の温度を維持した状態で、該チャンバ内にシランガスを導入することにより、該炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させる工程（Ｓ１０７）と、を備える。 |
