| 摘要 |
소형이며, 또한, 게이트 전위에 의해서 다이오드의 순전압이 잘 변화되지 않는 반도체 장치를 제공한다. 반도체 기판의 상면에 노출되는 범위에, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조 (에미터 영역과 보디 영역) 가 형성되어 있고, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조의 경계를 따라서 트렌치와 게이트 절연막과 게이트 전극이 연장되어 있고, 상기 반도체 기판의 하면에 노출되는 범위에, 캐소드 영역과 컬렉터 영역이 형성되어 있고, 상면측 구조와 하면측 구조 사이에 드리프트 영역이 형성되어 있고, 결정 결함 영역이 캐소드 영역의 상측 드리프트 영역 내와 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역 내에 걸쳐서 연장되어 있고, 반도체 기판의 두께를 x ㎛ 로 하고, 컬렉터 영역의 상측으로 돌출되어 있는 부분의 결정 결함 영역의 폭을 y ㎛ 로 했을 경우, y ≥ 0.007x－ 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족되는 반도체 장치. |
