一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法

摘要

一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。

主权项

一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，该有机薄膜晶体管为底栅底接触型结构，自下而上依次包括绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、表面改性层、源电极、漏电极、电极修饰材料和有机半导体层，其特征在于：通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化；所述制备方法的具体步骤如下：1)在所述绝缘衬底之上制备所述栅电极；2)在所述绝缘衬底和栅电极之上制备所述栅极绝缘层；3)采用自组装单分子层修饰所述栅极绝缘层的上表面形成所述表面改性层；4)在所述表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5)采用紫外光照射处于所述源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6)采用所述电极修饰材料修饰所述源电极和漏电极；7)在所述栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成所述图形化的有机半导体层。