半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。该器件包括隔离的绝缘膜、外延硅层、节阻挡绝缘膜、栅堆叠、以及源和漏节。隔离绝缘膜形成在半导体衬底上以便定义有源区。外延硅层形成在半导体衬底上的有源区并且被隔离绝缘膜包围或者限定。节阻挡绝缘膜形成在外延硅层中。栅堆叠形成在外延硅层之上以便节阻挡绝缘膜被放置或者埋在大约栅堆叠的中心处。源和漏节形成在靠近栅堆叠的的侧壁的位置。因此，避免了由于节的不希望的扩散而导致的在大区中的源/漏节之间的短路。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：(a)在半导体衬底上形成隔离绝缘膜；(b)将隔离绝缘膜的部分除去预定的深度；(c)在隔离绝缘膜上形成掩模绝缘层；(d)构图掩模绝缘层和隔离绝缘膜，来形成定义了有源区的隔离结构，并且在有源区中形成节阻挡绝缘膜；(e)在有源区中形成外延硅层以便节阻挡绝缘膜被埋在外延硅层中；(f)在外延硅层上形成栅堆叠；以及(g)在外延硅层中形成源和漏节。