半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

根据本发明实施例的半导体器件包括：第一晶体管，它包括：都形成在半导体衬底的一个表面中的第一源极层和第一漏极层；形成在第一源极层和第一漏极层上的第一硅化物层；形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极，所述第一栅极绝缘膜形成在半导体衬底的表面上并具有第二硅化物层；以及形成在第一栅电极的侧壁上的氮化硅膜；第二晶体管，它包括：都形成在半导体衬底的表面中的第二源极层和第二漏极层；形成在第二源极层和第二漏极层上并且厚度等于第一硅化物层的第三硅化物层；形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，所述第二栅极绝缘膜形成在半导体衬底的表面上并具有比第二硅化物层的厚度薄的第四硅化物层。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括：都形成在半导体衬底的表面中的第一源极层和第一漏极层；形成在所述第一源极层和所述第一漏极层上的第一硅化物层；形成在第一栅极绝缘膜上的第一栅电极，所述第一栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底的表面上并具有第二硅化物层；以及形成在所述第一栅电极的侧壁上的氮化硅膜；第二晶体管，包括：都形成在所述半导体衬底的表面中的第二源极层和第二漏极层；形成在所述第二源极层和所述第二漏极层上并且厚度等于所述第一硅化物层的第三硅化物层；形成在第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，所述第二栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底的表面上并具有比所述第二硅化物层的厚度薄的第四硅化物层。