| 摘要 |
본 발명의 실시 예에 따른 하이브리드 발광다이오드 칩은 P형 반도체 물질로 형성되는 제 1 클래드층; N형 반도체 물질로 형성되는 제 2 클래드층; 상기 제 1 클래드층과 상기 제 2 클래드층 사이에 형성되는 활성층; 상기 제 1 클래드층 상부에 형성되는 제 1 본딩 메탈층; 상기 제 2 클래드층 상부에 형성되는 제 2 본딩 메탈층; 상기 제 1 본딩 메탈층을 노출시키는 적어도 하나의 제 1 비아 홀 및 상기 제 2 본딩 메탈층을 노출시키는 적어도 하나의 제 2 비아 홀을 포함하여, 상기 제 1 본딩 메탈층 및 제 2 본딩 메탈층의 상부에 본딩되는 세라믹 기판; 상기 적어도 하나의 제 1 비아 홀에 전도성 물질이 매립되어 형성되는 P 전극; 및 상기 적어도 하나의 제 2 비아 홀에 전도성 물질이 매립되어 형성되는 N 전극;을 포함하고, 상기 세라믹 기판에 형성된 상기 제 1 비아 홀 및 제 2 비아 홀은, 원 형태로 형성됨과 아울러, 원 형태의 원주면에 형성되는 음각 패턴을 포함한다. |
