发明名称 |
透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法 |
摘要 |
本发明提供光电转换效率高的带有表面电极的透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法。通过形成氧化铟类的非晶体透明导电膜作为基底膜(21),在其上形成氧化锌类的晶体透明导电膜,形成由良好的凹凸结构构成的表面电极(2)。结果能够提供光封闭效果更高的表面电极(2),得到光电转换效率更高的薄膜太阳能电池(10)。 |
申请公布号 |
CN102298986B |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201110186615.4 |
申请日期 |
2011.06.28 |
申请人 |
住友金属矿山株式会社 |
发明人 |
山野边康德;松村文彦 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B32B3/30(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
宋晓宝;郭晓东 |
主权项 |
一种带有表面电极的透明导电基板,其特征在于,在透光性基板上直接层叠有氧化铟类的非晶体透明导电膜,且在该非晶体透明导电膜上通过溅射法直接层叠有凹凸膜,该凹凸膜为氧化锌类的晶体透明导电膜,由该非晶体透明导电膜和该晶体透明导电膜形成具有凹凸结构的表面电极,所述非晶体透明导电膜由掺杂有Ti、Sn、Ga中的至少1种物质的氧化铟构成,所述晶体透明导电膜由掺杂有Al、Ga、B、In、F、Si、Ge、Ti、Zr、Hf中的至少1种物质的氧化锌构成,所述非晶体透明导电膜的膜厚为200~500nm,所述晶体透明导电膜的膜厚为600~2000nm。 |
地址 |
日本东京 |