| 发明名称 |
Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics |
| 摘要 |
증가된 항복 전압과 다른 이득들을 제공하는 특징들을 갖는 예시적인 전력 반도체 소자들이 제시된다. |
| 申请公布号 |
KR101660935(B1) |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
| 申请号 |
KR20117015629 |
申请日期 |
2009.11.25 |
| 申请人 |
페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 |
发明人 |
예디낙 조셉 에이.;샬라 애쇼크;킨저 대니얼 엠;프롭스트 딘 이. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
