发明名称 Semiconductor and method of fabricating the same
摘要 반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자는 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 기판 상에 서로 이격되어 적층된 게이트 전극들을 포함하는 복수의 적층 구조체들 ,및 한 쌍의 적층 구조체 사이의 기판 내에서 제1 방향으로 연장하고, 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 픽업 영역(pick-up region)을 포함한다.
申请公布号 KR101660483(B1) 申请公布日期 2016.09.28
申请号 KR20100048795 申请日期 2010.05.25
申请人 삼성전자주식회사 发明人 황성민;김경훈;김한수;손병근;심재주;장재훈;조원석;조후성
分类号 H01L27/10;H01L21/70;H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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