发明名称 |
Semiconductor and method of fabricating the same |
摘要 |
반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자는 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 기판 상에 서로 이격되어 적층된 게이트 전극들을 포함하는 복수의 적층 구조체들 ,및 한 쌍의 적층 구조체 사이의 기판 내에서 제1 방향으로 연장하고, 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 픽업 영역(pick-up region)을 포함한다. |
申请公布号 |
KR101660483(B1) |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
KR20100048795 |
申请日期 |
2010.05.25 |
申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
황성민;김경훈;김한수;손병근;심재주;장재훈;조원석;조후성 |
分类号 |
H01L27/10;H01L21/70;H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|